ZTX618 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZTX618  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: E-LINE

 Аналоги (замена) для ZTX618

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ZTX618 даташит

 ..1. Size:153K  diodes
 ztx618.pdf pdf_icon

ZTX618

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER ZTX618 HIGH GAIN TRANSISTOR ISSUE 2 JULY 1995 T I II i i I IT I I i I V I I TI T i i i i E-Line I T 8 TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I I i I Di i i Di i i i T T T D i i I I i i e d, applied or pply of any ZTX618 ELECTRICAL CHARACT

 9.1. Size:40K  fairchild semi
 ztx614.pdf pdf_icon

ZTX618

ZTX614 NPN Darlington Transistor These device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 0.5A and high breakdown voltage. Sourced from process 06. C TO-226 BE Absolute Maximum Ratings* TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V VCBO Collector-Base Voltage 120 V VEBO Emitter-Base

Другие транзисторы: MMST4124, MMST4126, ZDT1048, ZDT1049, ZDT6718, ZDT749, ZTX1147A, ZTX1149A, BC546, ZTX718, ZUMT617, ZUMT618, ZUMT717, ZUMT718, ZX5T2E6, ZXT10N15DE6, ZXT10N20DE6