ZX5T2E6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZX5T2E6  📄📄 

Маркировка: 52

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT26

 Аналоги (замена) для ZX5T2E6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ZX5T2E6 даташит

 ..1. Size:101K  diodes
 zx5t2e6.pdf pdf_icon

ZX5T2E6

ZX5T2E6 20V PNP LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23-6 SUMMARY BVCEO = -20V RSAT = 31m ; IC = -3.5A DESCRIPTION Packaged in the SOT2 3 -6 outline this new 5th generation low saturation 20V PNP transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions. FEATURES SOT23-6 3.5 Amps continuous cur

 9.1. Size:1161K  kexin
 zx5t250.pdf pdf_icon

ZX5T2E6

SMD Type Transistors PNP Transistors ZX5T250 Features Collector Current Capability IC=-3A 1.70 0.1 Collector Emitter Voltage VCEO=-60V Complement to ZX5T150 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector to Base Voltage VCBO -70 V Collector to Emitter Voltage VCEO -60 V Emitter to B

Другие транзисторы: ZTX1147A, ZTX1149A, ZTX618, ZTX718, ZUMT617, ZUMT618, ZUMT717, ZUMT718, TIP127, ZXT10N15DE6, ZXT10N20DE6, ZXT10P12DE6, ZXT10P20DE6, ZXT11N15DF, ZXT11N20DF, ZXT12N20DX, ZXT12P12DX