2DB1188R - описание и поиск аналогов

 

2DB1188R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2DB1188R

Маркировка: P23R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2DB1188R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2DB1188R даташит

 ..1. Size:282K  diodes
 2db1188p 2db1188q 2db1188r.pdf pdf_icon

2DB1188R

2DB1188P/Q/R 32V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 Features Mechanical Data BVCEO > -32V Case SOT89 IC = -2A high Continuous Current Case material Molded Plastic, "Green" Molding Compound. Low saturation voltage VCE(sat)

 7.1. Size:229K  diodes
 2db1188p-q-r.pdf pdf_icon

2DB1188R

2DB1188P/Q/R PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary NPN Type Available (2DD1766) Ideally Suited for Automated Assembly Processes Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) SOT89-3L Mechanical Data Case SOT89-3L

 8.1. Size:172K  diodes
 2db1184q.pdf pdf_icon

2DB1188R

 8.2. Size:108K  diodes
 2db1182q.pdf pdf_icon

2DB1188R

2DB1182Q 32V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN TO252 Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case TO252 Low Collector-Emitter Saturation Voltage Case Material Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Ideally Suited for Automated Assembly Processes Ideal for Medium Power Switching or Amplification

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2DA1774S, 2DA1797, 2DB1132P, 2DB1132Q, 2DB1132R, 2DB1184Q, 2DB1188P, 2DB1188Q, TIP31C, 2DB1694, 2DB1714, 2DC2412R, 2DC4617Q, 2DC4617QLP, 2DC4617R, 2DC4617S, 2DC4672

 

 

 

 

↑ Back to Top
.