2DD1664P - описание и поиск аналогов

 

2DD1664P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2DD1664P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 280 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2DD1664P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2DD1664P даташит

 ..1. Size:471K  diodes
2dd1664p 2dd1664q 2dd1664r.pdfpdf_icon

2DD1664P

 0.1. Size:221K  diodes
2dd1664p-q-r.pdfpdf_icon

2DD1664P

2DD1664P/Q/R NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available (2DB1132) Ideally Suited for Automated Assembly Processes Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) SOT89-3L Mechanical Data COLLECTOR Case

 9.1. Size:205K  diodes
2dd1621t.pdfpdf_icon

2DD1664P

Другие транзисторы: 2DB1694, 2DB1714, 2DC2412R, 2DC4617Q, 2DC4617QLP, 2DC4617R, 2DC4617S, 2DC4672, S8550, 2DD1664Q, 2DD1664R, 2DD1766P, 2DD1766Q, 2DD1766R, 2DD2656, 2DD2679, BC847AT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.