Биполярный транзистор DST857BDJ - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DST857BDJ
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT963
Аналоги (замена) для DST857BDJ
DST857BDJ Datasheet (PDF)
..1. Size:137K diodes
dst857bdj.pdf
dst857bdj.pdf
DST857BDJDUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case: SOT-963 Ideally Suited for Automated Assembly Processes Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Complementary NPN Type Available (DST847BDJ) Moisture Sensitivity: Level 1 per
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050