DST857BDJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DST857BDJ  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT963

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DST857BDJ

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DST857BDJ даташит

 ..1. Size:137K  diodes
 dst857bdj.pdf pdf_icon

DST857BDJ

DST857BDJ DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case SOT-963 Ideally Suited for Automated Assembly Processes Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Complementary NPN Type Available (DST847BDJ) Moisture Sensitivity Level 1 per

Другие транзисторы: DSS5240V, DSS5240Y, DSS5540X, DST3904DJ, DST3906DJ, DST3946DPJ, DST847BDJ, DST847BPDP6, 2N2222, DXT2222A, DXT3904, DXT3906, DXT690BP5, DXT790AP5, DZT2222A, FCX1051A, FCX1151A