Биполярный транзистор ZXTD2090E6 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ZXTD2090E6
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 215 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT26
Аналоги (замена) для ZXTD2090E6
ZXTD2090E6 Datasheet (PDF)
zxtd2090e6.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
A Product Line ofDiodes IncorporatedZXTD2090E6DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR Features Mechanical Data BVCEO = 50V Case: SOT23-6 RSAT = 160mV Case material: Molded Plastic. Green Molding Compound. IC = 1A Continuous Collector Current UL Flammability Rating 94V-0 Low Equivalent On Resistance Moisture Sensitivity: Lev
zxtd2m832.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ZXTD2M832MPPS Miniature Package Power SolutionsDUAL 20V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTORSUMMARYVCEO= -20V; RSAT = 64m ; IC= -3.5ADESCRIPTIONPackaged in the innovative 3mm x 2mm MLP (Micro Leaded Package)outline, these new 4th generation low saturation dual transistors offerextremely low on state losses making them ideal for use in DC-DC circuitsand various driving an
zxtd2m832 d22.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ZXTD2M832MPPS Miniature Package Power SolutionsDUAL 20V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTORSUMMARYVCEO= -20V; RSAT = 64m ; IC= -3.5ADESCRIPTIONPackaged in the innovative 3mm x 2mm MLP (Micro Leaded Package)outline, these new 4th generation low saturation dual transistors offerextremely low on state losses making them ideal for use in DC-DC circuitsand various driving an
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .