Справочник транзисторов. 2N5483

 

Биполярный транзистор 2N5483 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N5483
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для 2N5483

 

 

2N5483 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:357K  fairchild semi
2n5484 2n5485 2n5486 mmbf5484 mmbf5485 mmbf5486.pdf

2N5483
2N5483

February 20092N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com2N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 Rev. 1.0.0 1 2N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com Rev. 1.0.0 2 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com Rev. 1.0.0 3 2007

 9.2. Size:754K  fairchild semi
2n5484 mmbf5484.pdf

2N5483
2N5483

2N5484 MMBF54842N5485 MMBF54852N5486 MMBF5486GSG TO-92SSOT-23 DDMark: 6B / 6M / 6HNOTE: Source & Drain are interchangeableN-Channel RF AmplifierThis device is designed primarily for electronic switchingapplications such as low On Resistance analog switching.Sourced from Process 50.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value

 9.3. Size:85K  vishay
2n5484 sst5484 2n5485 sst5485 2n5486 sst5486.pdf

2N5483
2N5483

2N/SST5484 SeriesVishay SiliconixN-Channel JFETs2N5484 SST54842N5485 SST54852N5486 SST5486PRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA)2N/SST5484 -0.3 to -3 -25 3 12N/SST5485 -0.5 to -4 -25 3.5 42N/SST5486 -2 to -6 -25 4 8FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Excellent High-Frequency Gain: D Wideband High Gain D High-Frequency Amplifier/Mi

 9.4. Size:74K  central
2n5484 2n5485 2n5486.pdf

2N5483

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.5. Size:146K  onsemi
2n5486.pdf

2N5483
2N5483

2N5486JFET VHF/UHF AmplifiersN-Channel DepletionFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com1 DRAINMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Rating Symbol Value Unit3GATEDrain-Gate Voltage VDG 25 VdcReverse Gate-Source Voltage VGSR 25 Vdc2 SOURCEDrain Current ID 30 mAdcForward Gate Current IG(f) 10 mAdcTotal Device Dissipation @ TC =

Другие транзисторы... 2N5470 , 2N5477 , 2N5478 , 2N5479 , 2N548 , 2N5480 , 2N5481 , 2N5482 , 13003 , 2N5487 , 2N5487-1 , 2N5487-3 , 2N5488 , 2N5488-1 , 2N5488-3 , 2N5489 , 2N549 .

 

 
Back to Top