2N1159. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1159

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N1159

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1159 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N1153, 2N1154, 2N1155, 2N1156, 2N1157, 2N1157A, 2N1158, 2N1158A, MJE350, 2N116, 2N1160, 2N1162, 2N1162A, 2N1163, 2N1163A, 2N1164, 2N1164A