Биполярный транзистор FCX658A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FCX658A
Маркировка: 65A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT89
FCX658A Datasheet (PDF)
..1. Size:75K diodes
fcx658a.pdf
fcx658a.pdf
SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR FCX658AISSUE 1 NOVEMBER 2000FEATURESC* 400 Volt VCEO* 0.5 Amp continuous current* Ptot=1 Watt* Optimised hfe characterised upto 200mAEAPPLICATIONSC* Telephone dialler circuitsB* Hook switches for modemsSOT89* Predrivers within HID lamp ballasts* (SLIC) Subscriber Line Interface CardsPartmarking
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050