ZXTN10150DZ - описание и поиск аналогов

 

ZXTN10150DZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZXTN10150DZ

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 135 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для ZXTN10150DZ

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ZXTN10150DZ даташит

 ..1. Size:241K  diodes
zxtn10150dz.pdfpdf_icon

ZXTN10150DZ

A Product Line of Diodes Incorporated ZXTN10150DZ 150V NPN LED DRIVING TRANSISTOR IN SOT89 Features Mechanical Data BVCEO > 150V Case SOT-89 hFE > 100 for IC = 150mA, VCE = 0.25V Case Material Molded Plastic. Green Molding Compound. IC (cont) = 1A UL Flammability Rating 94V-0 Lead Free, RoHS Compliant (Note 1) Moisture Sensitivity Level 1 p

 9.1. Size:371K  diodes
zxtn19060cff.pdfpdf_icon

ZXTN10150DZ

ZXTN19060CFF 60V NPN HIGH GAIN POWER TRANSISTOR IN SOT23F Features Mechanical Data BVCEO > 60V Case SOT23F BVCEX > 160V Case Material Molded Plastic. Green Molding Compound. BVECO > 6V UL Flammability Classification Rating 94V-0 IC = 5.5A Continuous Collector Current Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Saturation Voltage VCE(SAT)

 9.2. Size:318K  diodes
zxtn19060cg.pdfpdf_icon

ZXTN10150DZ

ZXTN19060CG 60V NPN low sat medium power transistor in SOT223 Summary BVCEO > 60V BVCEX > 160V BVECO > 6V IC(cont) = 7A VCE(sat)

 9.3. Size:417K  diodes
zxtn19020dz.pdfpdf_icon

ZXTN10150DZ

ZXTN19020DZ 20V NPN high gain transistor in SOT89 Summary BVCEX > 70V BVCEO > 20V BVECO > 4.5V IC(cont) = 7.5A VCE(sat)

Другие транзисторы: MMSTA42, MMSTA92, ZDT694, ZDT795A, ZTX560, ZX5T955G, ZX5T955Z, ZXTN08400BFF, 2SD1047, ZXTN5551FL, ZXTN5551G, ZXTN5551Z, ZXTP03200BG, ZXTP03200BZ, ZXTP08400BFF, ZXTP2014G, ZXTP2014Z

 

 

 

 

↑ Back to Top
.