Справочник транзисторов. ZXTP558L

 

Биполярный транзистор ZXTP558L Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ZXTP558L
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для ZXTP558L

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ZXTP558L Datasheet (PDF)

 9.1. Size:243K  diodes
 zxtp5401g.pdf pdf_icon

ZXTP558L

ZXTP5401G150V, SOT223, PNP High voltage transistorSummary BVCEO > -150VBVEBO > -5VIC(cont) = -600mA PD = 2WComplementary part number ZXTN5551GDescriptionCA high voltage PNP transistor in a surface mount packageFeaturesB 150V rating SOT223 packageEApplicationsE High voltage amplificationCCOrdering informationDevice Reel size Tape width Quantit

 9.2. Size:247K  diodes
 zxtp5401z.pdf pdf_icon

ZXTP558L

ZXTP5401Z150V, SOT89, PNP High voltage transistorSummary BVCEO > -150VBVEBO > -5VIC(cont) = -600mA PD = 1.2WComplementary part number ZXTN5551ZDescriptionCA high voltage PNP transistor in a small outline surface mount package.FeaturesB 150V rating SOT89 packageEApplications High voltage amplificationEOrdering informationCCDevice Reel size Tap

 9.3. Size:187K  diodes
 zxtp5401fl.pdf pdf_icon

ZXTP558L

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXTP5401FL 150V PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23 Features and Benefits Mechanical Data BVCEO > -150V Case: SOT23 Maximum Continuous Collector Current IC = -600mA UL Flammability Rating 94V-0 Excellent hFE Characteristics up to IC = -50mA Case material: molded Plastic. Low Saturation Voltages

Другие транзисторы... ZXTP08400BFF , ZXTP2014G , ZXTP2014Z , ZXTP23140BFH , ZXTP25140BFH , ZXTP5401FL , ZXTP5401G , ZXTP5401Z , 2SC1815 , BC846AS , BC856AS , BCP5210 , BCP5216 , BCP5310 , BCP5316 , BCP5510 , BCP5516 .

 

 
Back to Top

 


 
.