Справочник транзисторов. MMDT2227

 

Биполярный транзистор MMDT2227 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMDT2227
   Маркировка: K27
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT363
 

 Аналог (замена) для MMDT2227

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMDT2227 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  diodes
mmdt2227.pdfpdf_icon

MMDT2227

MMDT2227COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features & Benefits Mechanical Data Complementary Pairs One 2222A Type (NPN) Case: SOT363 One 2907A Type (PNP) Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Ideal for Low Power Amplification and Switching Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Totall

 ..2. Size:1334K  mcc
mmdt2227.pdfpdf_icon

MMDT2227

MMDT2227Features Complementary Pair: NPN(2222A) PNP(2907A) Ideal for Low Power Amplification and Switching Ultra-small Surface Mount Package NPN/PNP Halogen Free. Green Device (Note 1)Small Signal Surface Moisture Sensitivity Level 1Mount Transistors Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates R

 ..3. Size:477K  secos
mmdt2227.pdfpdf_icon

MMDT2227

MMDT2227NPN-PNP Silicon Elektronische BauelementeMulti-Chip TransistorRoHS Compliant Product SOT-363* Featureso.055(1.40)8.047(1.20)0o .026TYPPower dissipation(0.65TYP)OPCM : 0.2 W (Tamp.= 25 C) .021REF(0.525)REFCollector currentICM : 0.2/-0.2 A.053(1.35).096(2.45).045(1.15).085(2.15)Collector-base voltageV(BR)CBO : 75/-60 V.018(0.46).010(0.

 ..4. Size:718K  jiangsu
mmdt2227.pdfpdf_icon

MMDT2227

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors MMDT2227 TRANSISTOR (NPN+PNP) SOT-363 FEATURE C1 Epitaxial planar die construction B2E2 One 2222A NPN One 2907A PNP Ideal for power amplification and switching E1 B1 MARKING: K27 C2 NPN 2222A MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: A719R | 2SC3182N

 

 
Back to Top

 


 
.