MMDT2227 - описание и поиск аналогов

 

MMDT2227. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMDT2227

Маркировка: K27

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для MMDT2227

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMDT2227 даташит

 ..1. Size:119K  diodes
mmdt2227.pdfpdf_icon

MMDT2227

MMDT2227 COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features & Benefits Mechanical Data Complementary Pairs One 2222A Type (NPN) Case SOT363 One 2907A Type (PNP) Case Material Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Ideal for Low Power Amplification and Switching Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Totall

 ..2. Size:1334K  mcc
mmdt2227.pdfpdf_icon

MMDT2227

MMDT2227 Features Complementary Pair NPN(2222A) PNP(2907A) Ideal for Low Power Amplification and Switching Ultra-small Surface Mount Package NPN/PNP Halogen Free. Green Device (Note 1) Small Signal Surface Moisture Sensitivity Level 1 Mount Transistors Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates R

 ..3. Size:477K  secos
mmdt2227.pdfpdf_icon

MMDT2227

MMDT2227 NPN-PNP Silicon Elektronische Bauelemente Multi-Chip Transistor RoHS Compliant Product SOT-363 * Features o .055(1.40) 8 .047(1.20) 0o .026TYP Power dissipation (0.65TYP) O PCM 0.2 W (Tamp.= 25 C) .021REF (0.525)REF Collector current ICM 0.2/-0.2 A .053(1.35) .096(2.45) .045(1.15) .085(2.15) Collector-base voltage V(BR)CBO 75/-60 V .018(0.46) .010(0.

 ..4. Size:718K  jiangsu
mmdt2227.pdfpdf_icon

MMDT2227

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors MMDT2227 TRANSISTOR (NPN+PNP) SOT-363 FEATURE C1 Epitaxial planar die construction B2 E2 One 2222A NPN One 2907A PNP Ideal for power amplification and switching E1 B1 MARKING K27 C2 NPN 2222A MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

Другие транзисторы: FCX493, FCX593, FMMT493A, FMMT620, 2SB1412-Q, FZT1053A, HBDM60V600W, MMBT2907AT, BD139, MMDT2227M, MMDT2907A, MMDT2907V, MMST2907A, MMSTA05, MMSTA06, MMSTA55, MMSTA56

 

 

 

 

↑ Back to Top
.