Биполярный транзистор ZXTD4591E6 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ZXTD4591E6
Маркировка: 4591
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT26
Аналоги (замена) для ZXTD4591E6
ZXTD4591E6 Datasheet (PDF)
zxtd4591e6.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ZXTD4591E6 COMPLEMENTARY 60V NPN/PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT26 Features Mechanical Data NPN Transistor Case: SOT26 BVCEO > 60V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound; IC = 1A Continuous Collector Current UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Saturation Voltage (500mV max @ 1A) Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
zxtd4591e6 4591sot23-6.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ZXTD4591E6DUAL 60V NPN/PNP SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORSSUMMARYNPN: VCEO=60V; IC= 1A; hFE=100-300PNP: VCEO=-60V; IC= -1A; hFE=100-300DESCRIPTIONComplementary NPN and PNP medium power transistors packaged in the 6SOT23-6lead SOT23 package.FEATURES Low Equivalent On Resistance - NPN RCE(sat) 210m at 1A- PNP RCE(sat) 355m at -1AC2 C1 Low Saturation Voltage
zxtd4591e6.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type TransistorsComposite TransistorsZXTD4591E6 (KXTD4591E6)( )SOT-23-6 Unit: mm+0.10.4 -0.1 Features6 5 4 Low Equivalent On Resistance Low Saturation Voltage hFE characterised up to 2A IC=1A Continuous Collector Current2 31+0.020.15 -0.02+0.01-0.01+0.2-0.1C2 C11 C1 4 E22 B1 5 B2B2 B13 C2 6 E1E2 E1 Absolute Maximum
zxtd4591am832.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ZXTD4591AM832MPPS Miniature Package Power SolutionsComplementary dual 40V high performance transistorSummaryNPN Transistor - VCEO = 40V; RSAT = 195m ; IC = 2.5A PNP Transistor - VCEO = -40V; RSAT = 350m ; IC = -2ADescriptionPackaged in the 3mm x 2mm MLP (Micro LeadedPackage), these high performance NPN / PNPcombination dual transistors offer lower on state lossesmaking th
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .