ZXTD4591E6. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ZXTD4591E6
Маркировка: 4591
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT26
Аналоги (замена) для ZXTD4591E6
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
ZXTD4591E6 даташит
zxtd4591e6.pdf
ZXTD4591E6 COMPLEMENTARY 60V NPN/PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT26 Features Mechanical Data NPN Transistor Case SOT26 BVCEO > 60V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound; IC = 1A Continuous Collector Current UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Saturation Voltage (500mV max @ 1A) Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020
zxtd4591e6 4591sot23-6.pdf
ZXTD4591E6 DUAL 60V NPN/PNP SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORS SUMMARY NPN VCEO=60V; IC= 1A; hFE=100-300 PNP VCEO=-60V; IC= -1A; hFE=100-300 DESCRIPTION Complementary NPN and PNP medium power transistors packaged in the 6 SOT23-6 lead SOT23 package. FEATURES Low Equivalent On Resistance - NPN RCE(sat) 210m at 1A - PNP RCE(sat) 355m at -1A C2 C1 Low Saturation Voltage
zxtd4591e6.pdf
SMD Type Transistors Composite Transistors ZXTD4591E6 (KXTD4591E6) ( ) SOT-23-6 Unit mm +0.1 0.4 -0.1 Features 6 5 4 Low Equivalent On Resistance Low Saturation Voltage hFE characterised up to 2A IC=1A Continuous Collector Current 2 3 1 +0.02 0.15 -0.02 +0.01 -0.01 +0.2 -0.1 C2 C1 1 C1 4 E2 2 B1 5 B2 B2 B1 3 C2 6 E1 E2 E1 Absolute Maximum
zxtd4591am832.pdf
ZXTD4591AM832 MPPS Miniature Package Power Solutions Complementary dual 40V high performance transistor Summary NPN Transistor - VCEO = 40V; RSAT = 195m ; IC = 2.5A PNP Transistor - VCEO = -40V; RSAT = 350m ; IC = -2A Description Packaged in the 3mm x 2mm MLP (Micro Leaded Package), these high performance NPN / PNP combination dual transistors offer lower on state losses making th
Другие транзисторы: ZX5T851G, ZX5T853G, ZX5T951G, ZX5T953G, ZXT1053AK, ZXT951K, ZXT953K, ZXTC6720MC, A1941, ZXTN19055DZ, ZXTN19060CG, ZXTN19100CFF, ZXTN19100CG, ZXTN19100CZ, ZXTN2010A, ZXTN2010G, ZXTN2010Z
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345




