Биполярный транзистор 2N5527 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5527
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO5
2N5527 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N5497 , 2N5498 , 2N55 , 2N550 , 2N551 , 2N552 , 2N5525 , 2N5526 , BC546 , 2N5528 , 2N5529 , 2N553 , 2N5530 , 2N5531 , 2N5532 , 2N5533 , 2N5534 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050