Биполярный транзистор 15C02MH - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 15C02MH
Маркировка: CK
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 440 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: MCPH3
15C02MH Datasheet (PDF)
15c02mh.pdf
Ordering number : ENN7354A15C02MHNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor15C02MHLow-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplicationsPackage Dimensions Low-frequency amplifer, high-speed switching,unit : mmsmall motor drive.2194A[15C02MH]0.30.15Features3 Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance).RC
15c02mh.pdf
Ordering number : EN7354B15C02MHBipolar Transistorhttp://onsemi.com( )15V, 1A, Low VCE sat NPN Single MCPH3Applications Low-frequency amplifer, high-speed switching, small motor driveFeatures Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE (sat) typ.=300m [IC=1A, IB=50mA] Ultrasmall package facilitates miniaturization in
15c02ch.pdf
Ordering number : ENN7353A15C02CHNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor15C02CHLow-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplicationsPackage Dimensions Low-frequency amplifer, high-speed switching,unit : mmsmall motor drive.2150A[15C02CH]Features2.90.150.4 Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance). 3
15c02ch.pdf
Ordering number : EN7353B15C02CHBipolar Transistorhttp://onsemi.com( )15V, 1A, Low VCE sat NPN Single CPH3Applications Low-frequency amplifer, high-speed switching, small motor driveFeatures Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE(sat) typ.=300m [IC=1A, IB=50mA] Ultrasmall package facilitates miniaturization in e
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050