Биполярный транзистор 2N5535 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5535
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO61
Другие транзисторы... 2N5528 , 2N5529 , 2N553 , 2N5530 , 2N5531 , 2N5532 , 2N5533 , 2N5534 , D965 , 2N5536 , 2N5537 , 2N5538 , 2N5539 , 2N554 , 2N5540 , 2N5541 , 2N5542 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050