Биполярный транзистор 30C02CH - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 30C02CH
Маркировка: CL
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 540 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: CPH3
30C02CH Datasheet (PDF)
30c02ch.pdf
Ordering number : ENN736330C02CHNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor30C02CHLow-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplicationsPackage Dimensions Low-frequency Amplifier, high-speed switching,unit : mmsmall motor drive.2150A[30C02CH]Features2.9 Large current capacitance.0.150.4 Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance).
30c02ch.pdf
Ordering number : EN7363A30C02CHBipolar Transistorhttp://onsemi.com( )30V, 0.7A, Low VCE sat NPN Single CPH3Applications Low-frequency Amplifier, high-speed switching, small motor drive Features Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE(sat) typ.=330m [IC=0.7A, IB=35mA] Ultrasmall package facilitates miniaturizatio
30c02s.pdf
Ordering number : ENN736530C02SNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor30C02SLow-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplicationsPackage Dimensions Low-frequency Amplifier, high-speed switching,unit : mmsmall motor drive.2106A[30C02S]Features0.750.3 Large current capacitance.0.63Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance).
30c02mh 30c02mh 30c02mh 30c02mh.pdf
Ordering number : EN7364B30C02MHBipolar Transistorhttp://onsemi.com( )30V, 0.7A, Low VCE sat NPN Single MCPH3Applications Low-frequency Amplifier, high-speed switching, small motor driveFeatures Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance)) : RCE(sat) typ=330m [IC=0.7A, IB=35mA] Ultrasmall package facilitates miniaturizat
30c02mh.pdf
Ordering number : EN7364B30C02MHBipolar Transistorhttp://onsemi.com( )30V, 0.7A, Low VCE sat NPN Single MCPH3Applications Low-frequency Amplifier, high-speed switching, small motor driveFeatures Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance)) : RCE(sat) typ=330m [IC=0.7A, IB=35mA] Ultrasmall package facilitates miniaturizat
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050