Биполярный транзистор CPH3209 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CPH3209
Маркировка: CJ
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: CPH3
CPH3209 Datasheet (PDF)
cph3109 cph3209.pdf
Ordering number:ENN6078APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsCPH3109/CPH3209DC/DC Converter ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. unit:mm2150AFeatures [CPH3109/CPH3209] Adoption of MBIT processes.2.90.15 Large current capacitance. 0.4 Low collector-to-emitter saturation voltage.3 High-sp
cph3206.pdf
Ordering number:EN6073NPN Silicon Epitaxial Planar TransistorCPH3206DC/DC Converter ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. unit:mm2150Features [CPH3206] Adoption of MBIT processes.2.90.150.4 High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage.3 High speed switching.0.05
cph3105 cph3205.pdf
Ordering number : ENN6084D CPH3105 / CPH3205PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsHigh-Current SwitchingCPH3105 / CPH3205ApplicationsApplications DC-DC converters relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash.Features Adoption of FBET, MBIT processes. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching.
cph3107 cph3207.pdf
Ordering number:ENN6077PNP/NPN Silicon Epitaxial Planar TransistorsCPH3107/3207DC/DC Converter ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, andunit:mmstrobes.2150A[CPH3107/3207]Features2.90.150.4 Adoption of MBIT processes. High current capacitance.3 Low collector-to-emitter saturation voltage.0.05 H
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050