Биполярный транзистор CPH6021 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CPH6021
Маркировка: GN
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: CPH6
CPH6021 Datasheet (PDF)
cph6021.pdf
CPH6021Ordering number : ENA1910SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP Epitaxial Planar Silicon TransistorCPH6021High-Frequency Low-Noise AmplifierFeatures Low-noise use : NF=1.2dB typ (f=1GHz) High cut-off frequency : fT=10GHz typ (VCE=5V) High gain | |2 : S21e =14dB typ (f=1GHz) Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum Ratings
cph6020.pdf
CPH6020Ordering number : ENA1548SANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorCPH6020High-Frequency Low-Noise AmplifierFeatures Low-noise use : NF=1.2dB typ (f=1GHz). High cut-off frequency : fT=16GHz typ (VCE=5V). High gain | |2 : S21e =13.5dB typ (f=1GHz).Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditi
cph6001.pdf
Ordering number:ENN6132ANPN Epitaxial Planar Silicon TransistorCPH6001High-Frequency Low-NoiseAmplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions2 High gain : S21e =11dB typ (f=1GHz).unit:mm High cutoff frequency : fT=6.7GHz typ.2146A Small and slim 6-pin package.[CPH6001] Large allowable collector dissipation (800mW max).0.152.96 5 40.051 2
cph6001a.pdf
Ordering number : ENA1079 CPH6001ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorHigh-Frequency Low-NoiseCPH6001AAmplifier ApplicationsFeatures High gain : S21e2=11dB typ (f=1GHz). High cutoff frequency : fT=6.7GHz typ. Small and slim 6-pin package. Large allowable collector dissipation (800mW max).SpecificationsAbsolute Maximum
cph6003a.pdf
Ordering number : ENA1078 CPH6003ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorHigh-frequency Medium-power AmplifierCPH6003AApplicationsFeatures High gain (fT=7GHz typ). High Current : (IC=150mA). Ultraminiature and thin 6pin package. Large Collector Disspation (800mW).SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Sym
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050