MMBTA56W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMBTA56W

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC70 SOT323

 Аналоги (замена) для MMBTA56W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTA56W даташит

 ..1. Size:162K  onsemi
mmbta56w smmbta56w.pdfpdf_icon

MMBTA56W

MMBTA56W, SMMBTA56W Driver Transistor PNP Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 www.onsemi.com ESD Rating Human Body Model - 4 kV Machine Model - 400 V S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable SC-70 (SOT-323) CASE 419 These Devices are Pb-Free, Halogen

 0.1. Size:107K  onsemi
mmbta56wt1g.pdfpdf_icon

MMBTA56W

MMBTA56W, SMMBTA56W Driver Transistor PNP Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model - 4 kV Machine Model - 400 V S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable SC-70 (SOT-323) CASE 419 These Devices are Pb-Free, Halog

 7.1. Size:77K  motorola
mmbta55l mmbta56.pdfpdf_icon

MMBTA56W

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBTA55LT1/D Driver Transistors MMBTA55LT1 COLLECTOR PNP Silicon 3 MMBTA56LT1* *Motorola Preferred Device 1 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol MMBTA55 MMBTA56 Unit 1 Collector Emitter Voltage VCEO 60 80 Vdc 2 Collector Base Voltage VCBO 60 80 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 4.0 Vdc

 7.2. Size:1073K  fairchild semi
mpsa56 mmbta56 pzta56.pdfpdf_icon

MMBTA56W

February 2006 MPSA56/MMBTA56/PZTA56 PNP General Purpose Amplifier Description This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. Sourced from Process 73 Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise specified. Parameter Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCES -80 V Collector-Base Voltage VCBO -80 V Emitter-Base Voltag

Другие транзисторы: MMBTA05L, MMBTA06L, MMBTA06WT1, MMBTA13L, MMBTA14L, MMBTA42L, MMBTA55L, MMBTA56L, BD335, MMBTA63L, MMBTA64L, MMBTA70L, MMBTA92L, MMBTH10L, MMBTH10M3T5G, MMJT350T1, MMUN2111L