MMUN2212L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMUN2212L

Маркировка: A8B

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMUN2212L

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMUN2212L даташит

 0.1. Size:215K  onsemi
mmun2211lt1g mmun2211lt3g mmun2212lt1g mmun2213lt1g mmun2214lt1g mmun2215lt1g mmun2216lt1g mmun2230lt1g mmun2231lt1g mmun2232lt1g mmun2233lt1g mmun2234lt1g.pdfpdf_icon

MMUN2212L

MMUN2211LT1G Series, SMMUN2211LT1G Series, NSVMMUN2232LT1G Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor http //onsemi.com with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single PIN 3 device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor COLLECTOR R1 (OUTPUT) Transistor) contains a single transistor

 0.2. Size:155K  onsemi
nsvmmun2212lt1g.pdfpdf_icon

MMUN2212L

MUN2212, MMUN2212L, MUN5212, DTC124EE, DTC124EM3, NSBC124EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 22 kW, R2 = 22 kW http //onsemi.com NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (

Другие транзисторы: MMUN2113L, MMUN2114L, MMUN2115L, MMUN2116L, MMUN2132L, MMUN2133L, MMUN2134L, MMUN2211L, C3198, MMUN2213L, MMUN2214L, MMUN2215L, MMUN2216L, MMUN2231L, MMUN2232L, MMUN2233L, MMUN2234L