MMUN2232L - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор MMUN2232L - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: MMUN2232L
   Маркировка: A8J
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: SOT23

Аналоги (замена) для MMUN2232L

MMUN2232L Datasheet (PDF)

0.1. Size:155K onsemi
nsvmmun2232lt3g.pdf

MUN2232, MMUN2232L,MUN5232, DTC143EE,DTC143EM3, NSBC143EF3Digital Transistors (BRT)R1 = 4.7 kW, R2 = 4.7 kWhttp://onsemi.comNPN Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor

0.2. Size:215K onsemi
mmun2211lt1g mmun2211lt3g mmun2212lt1g mmun2213lt1g mmun2214lt1g mmun2215lt1g mmun2216lt1g mmun2230lt1g mmun2231lt1g mmun2232lt1g mmun2233lt1g mmun2234lt1g.pdf

MMUN2211LT1G Series,SMMUN2211LT1G Series,NSVMMUN2232LT1GBias Resistor TransistorNPN Silicon Surface Mount Transistorhttp://onsemi.comwith Monolithic Bias Resistor NetworkThis new series of digital transistors is designed to replace a singlePIN 3device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor COLLECTORR1 (OUTPUT)Transistor) contains a single transistor

0.3. Size:214K onsemi
nsvmmun2232lt1g.pdf