Биполярный транзистор MSD1328RT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MSD1328RT1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SC59
Аналоги (замена) для MSD1328RT1
MSD1328RT1 Datasheet (PDF)
msd1328-.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MSD1328RT1/DNPN Low Voltage OutputMSD1328-RT1Amplifier Surface MountMotorola Preferred DeviceCOLLECTOR33212 1BASE EMITTERMAXIMUM RATINGS (TA = 25C)CASE 318D03, STYLE 1Rating Symbol Value UnitSC59CollectorBase Voltage V(BR)CBO 25 VdcCollectorEmitter Voltage V(BR)CEO 20 VdcEmitter
msd1328-rt1-d.pdf
MSD1328-RT1,MSD1328-ST1NPN Low Voltage OutputAmplifiers - Surface MountFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector-Base Voltage V(BR)CBO 25 VCollector-Emitter Voltage V(BR)CEO 20 VEmitter-Base Voltage V(BR)EBO 12 V2 1Collector Current - Continuous IC 500 mABASE EMITTERCollect
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050