Биполярный транзистор 2N5583 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5583
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Корпус транзистора: TO39
2N5583 Datasheet (PDF)
2n5583.pdf
2N5583Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar PNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 30V dia.IC = 0.5A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1
2n5583 1.pdf
2N5583Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar PNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 30V dia.IC = 0.5A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1
2n5581 2n5582.pdf
TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/423 Devices Qualified Level JAN 2N5581 2N5582 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage 50 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 75 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 6.0 Vdc VEBO Collector Current 800 mAdc IC Total Power Dissipation @ T = 250C (1) 0.5 W A
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
