NSL12AW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSL12AW

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC88 SC70 SOT363

 Аналоги (замена) для NSL12AW

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSL12AW даташит

 0.1. Size:125K  onsemi
 nsl12aw-d.pdf pdf_icon

NSL12AW

NSL12AWT1G High Current Surface Mount PNP Silicon Low VCE(sat) Transistor for Battery Operated Applications http //onsemi.com Features High Current Capability (3 A) 12 VOLTS High Power Handling (Up to 650 mW) 3.0 AMPS Low VCE(s) (170 mV Typical @ 1 A) Small Size PNP TRANSISTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant COLLECTOR 1

 0.2. Size:125K  onsemi
 nsl12awt1g.pdf pdf_icon

NSL12AW

NSL12AWT1G High Current Surface Mount PNP Silicon Low VCE(sat) Transistor for Battery Operated Applications http //onsemi.com Features High Current Capability (3 A) 12 VOLTS High Power Handling (Up to 650 mW) 3.0 AMPS Low VCE(s) (170 mV Typical @ 1 A) Small Size PNP TRANSISTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant COLLECTOR 1

Другие транзисторы: NJW0302, NJW1302, NJW21194, NJX1675P, NS2029M3, NSB1706DMW5, NSB4904DW1, NSB9435, 2SC2655, NSM6056MT1G, NSM80100M, NSM80101M, NSS12100M3T5G, NSS12100UW, NSS12100XV6T1G, NSS12200L, NSS12200WT1G