NSM6056MT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSM6056MT1G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SC74 SC59ML

 Аналоги (замена) для NSM6056MT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSM6056MT1G даташит

 6.1. Size:106K  onsemi
 nsm6056m.pdf pdf_icon

NSM6056MT1G

NSM6056MT1G NPN Transistor with Zener Diode Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant Typical Applications NPN Transistor with Driving Circuit Zener Diode Switching Applications 6 5 4 MAXIMUM RATINGS - NPN TRANSISTOR Rating Symbol Value Unit Z1 Q1 Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Collector-Base Voltage VCB

Другие транзисторы: NJW1302, NJW21194, NJX1675P, NS2029M3, NSB1706DMW5, NSB4904DW1, NSB9435, NSL12AW, D880, NSM80100M, NSM80101M, NSS12100M3T5G, NSS12100UW, NSS12100XV6T1G, NSS12200L, NSS12200WT1G, NSS12201L