NSM80100M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSM80100M

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SC74 SC59ML

 Аналоги (замена) для NSM80100M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSM80100M даташит

 0.1. Size:200K  onsemi
 nsm80100mt1g.pdf pdf_icon

NSM80100M

NSM80100MT1G PNP Transistor with Dual Series Switching Diode Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Typical Applications http //onsemi.com LCD Control Board High Speed Switching PNP Transistor with Dual Series High Voltage Switching Switching Diode MAXIMUM RATINGS - PNP TRANSISTOR Rating Symbol Value Unit 6 5 4 Collector-E

 7.1. Size:111K  onsemi
 nsm80101mt1g.pdf pdf_icon

NSM80100M

NSM80101MT1G NPN Transistor with Dual Series Switching Diode Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Typical Applications http //onsemi.com LCD Control Board High Speed Switching NPN Transistor with Dual Series High Voltage Switching Switching Diode MAXIMUM RATINGS - PNP TRANSISTOR Rating Symbol Value Unit 6 5 4 Collector-E

Другие транзисторы: NJW21194, NJX1675P, NS2029M3, NSB1706DMW5, NSB4904DW1, NSB9435, NSL12AW, NSM6056MT1G, 13005, NSM80101M, NSS12100M3T5G, NSS12100UW, NSS12100XV6T1G, NSS12200L, NSS12200WT1G, NSS12201L, NSS12500UW3