2N5599 - описание и поиск аналогов

 

2N5599. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5599

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2N5599

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5599 даташит

 ..1. Size:10K  semelab
 2n5599.pdf pdf_icon

2N5599

2N5599 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250) Metal Package. 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 4.08(0.161) rad. Bipolar PNP Device. 1 2 VCEO = 80V IC = 2A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS specif

 ..2. Size:120K  jmnic
 2n5597 2n5599 2n5601 2n5603.pdf pdf_icon

2N5599

Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2N5597 2N5599 2N5601 2N5603 DESCRIPTION With TO-66 package Excellent safe operating area Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS For high frequency power amplifier ; audio power amplifier and drivers. PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified ou

 ..3. Size:127K  inchange semiconductor
 2n5597 2n5599 2n5601 2n5603.pdf pdf_icon

2N5599

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N5597 2N5599 2N5601 2N5603 DESCRIPTION With TO-66 package Excellent safe operating area Low collector saturation voltage APPLICATIONS For high frequency power amplifier ; audio power amplifier and drivers. PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-66

 9.1. Size:11K  semelab
 2n5597.pdf pdf_icon

2N5599

2N5597 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250) Metal Package. 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 4.08(0.161) rad. Bipolar PNP Device. 1 2 VCEO = 60V IC = 2A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS specif

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5589, 2N559, 2N5590, 2N5591, 2N5595, 2N5596, 2N5597, 2N5598, BC547, 2N56, 2N560, 2N5600, 2N5601, 2N5602, 2N5603, 2N5604, 2N5605

 

 

 

 

↑ Back to Top
.