Справочник транзисторов. BC807DS

 

Биполярный транзистор BC807DS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC807DS
   Маркировка: N2
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT457
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BC807DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  philips
bc807ds.pdfpdf_icon

BC807DS

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D302BC807DSPNP general purpose double transistorProduct data sheet 2002 Nov 22Supersedes data of 2002 Aug 09NXP Semiconductors Product data sheetPNP general purpose double transistor BC807DSFEATURES QUICK REFERENCE DATA High current (500 mA)SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT 600 mW total power dissipationVCEO colle

 ..2. Size:196K  nxp
bc807ds.pdfpdf_icon

BC807DS

BC807DSPNP/PNP general purpose double transistors3 May 2019 Product data sheet1. General descriptionPNP/PNP general-purpose double transistors in an SOT457 (SC-74) plastic package.NPN/NPN complement: BC817DSNPN/PNP complement: BC817DPN2. Features and benefits Reduces component count Reduces pick and place costs AEC-Q101 qualified3. Applications General purpos

 ..3. Size:983K  kexin
bc807ds.pdfpdf_icon

BC807DS

SMD Type TransistorsPNP Transistors BC807DS (KC807DS)( )SOT-23-6 Unit: mm+0.10.4 -0.16 5 4 Features Collector Current Capability IC=-0.5A Collector Emitter Voltage VCEO=-45V1 2 36 5 4+0.020.15 -0.02+0.01-0.01+0.2-0.1Q2Q11 E1 4 E21 2 32 B1 5 B23 C2 6 C1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector -

 9.1. Size:90K  motorola
bc807-16 bc807–25 bc807–40.pdfpdf_icon

BC807DS

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC80716LT1/DBC807-16LT1General Purpose TransistorsPNP SiliconBC807-25LT1COLLECTOR3BC807-40LT12BASE13EMITTERMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 45 VCollectorBase Voltage VCBO 50 V CASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)EmitterBase Voltag

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: EN4126 | BU433

 

 
Back to Top

 


 
.