BF820W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF820W  📄📄 

Маркировка: 1V-_1Vt

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для BF820W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF820W даташит

 ..1. Size:107K  philips
bf820w.pdfpdf_icon

BF820W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ge M3D102 BF820W NPN high-voltage transistor Product data sheet 2003 Sep 09 Supersedes data of 1997 Sep 03 NXP Semiconductors Product data sheet NPN high-voltage transistor BF820W FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Telephony and profess

 ..2. Size:46K  philips
bf820w bf822w.pdfpdf_icon

BF820W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF820W; BF822W NPN high-voltage transistors 1997 Sep 03 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 19 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF820W; BF822W FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitt

 ..3. Size:297K  nxp
bf820w.pdfpdf_icon

BF820W

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 9.1. Size:47K  philips
bf820 bf822 3.pdfpdf_icon

BF820W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BF820; BF822 NPN high-voltage transistors 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 23 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF820; BF822 FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 co

Другие транзисторы: BC868-25, BC869-16, BC869-25, BCP68-25, BCP69-16, BCP69-25, BCW61B, BCW61C, BD222, BF824W, BFG10W, BFG25A, BFG25AW, BFG310, BFG310W, BFG325, BFG325W