BF820W datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BF820W 📄📄
Маркировка: 1V-_1Vt
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: SOT323
Аналоги (замена) для BF820W
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BF820W даташит
bf820w.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ge M3D102 BF820W NPN high-voltage transistor Product data sheet 2003 Sep 09 Supersedes data of 1997 Sep 03 NXP Semiconductors Product data sheet NPN high-voltage transistor BF820W FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Telephony and profess
bf820w bf822w.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF820W; BF822W NPN high-voltage transistors 1997 Sep 03 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 19 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF820W; BF822W FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitt
bf820w.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
bf820 bf822 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BF820; BF822 NPN high-voltage transistors 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 23 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF820; BF822 FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 co
Другие транзисторы: BC868-25, BC869-16, BC869-25, BCP68-25, BCP69-16, BCP69-25, BCW61B, BCW61C, BD222, BF824W, BFG10W, BFG25A, BFG25AW, BFG310, BFG310W, BFG325, BFG325W
History: 2SA708A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726









