BFR505 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFR505  📄📄 

Маркировка: 31p_31t_31W_N30

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.018 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO236AB

 Аналоги (замена) для BFR505

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFR505 даташит

 ..1. Size:111K  philips
 bfr505.pdf pdf_icon

BFR505

BFR505 NPN 9 GHz wideband transistor Rev. 03 20 July 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description The BFR505 is an NPN silicon planar epitaxial transistor, intended for applications in the RF front end in wideband applications in the GHz range, such as analog and digital cellular telephones, cordless telephones (CT1, CT2, DECT, etc.), radar detectors, pagers an

 ..2. Size:99K  philips
 bfr505 cnv 2.pdf pdf_icon

BFR505

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFR505 NPN 9 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFR505 FEATURES PINNING High power gain PIN DESCRIPTION Low noise figure Code N30 High transition frequency 1 base fpage 3 Gold metalliza

 0.1. Size:110K  philips
 bfr505t 3.pdf pdf_icon

BFR505

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 BFR505T NPN 9 GHz wideband transistor Product specification 2000 May 17 Supersedes data of 2000 Mar 14 Philips Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFR505T FEATURES DESCRIPTION Low current consumption NPN transistor in a plastic SOT416 (SC-75) package. 3 High power gain fpage Low noise figure PI

 0.2. Size:274K  philips
 bfr505t.pdf pdf_icon

BFR505

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 BFR505T NPN 9 GHz wideband transistor Product specification 2000 May 17 Supersedes data of 2000 Mar 14 NXP Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFR505T FEATURES DESCRIPTION Low current consumption NPN transistor in a plastic SOT416 (SC-75) package. 3 High power gain lfpage Low noise figure PI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BFG410W, BFG424F, BFG424W, BFG540, BFG540W, BFG541, BFQ540, BFQ591, 2SA1943, BFR505T, BFR540, BFR92AW, BFR93AW, BFR94A, BFR94AW, BFS20W, BFS505