BFR505T datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BFR505T 📄📄
Маркировка: N0
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.018 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: SC75
Аналоги (замена) для BFR505T
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BFR505T даташит
bfr505t 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 BFR505T NPN 9 GHz wideband transistor Product specification 2000 May 17 Supersedes data of 2000 Mar 14 Philips Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFR505T FEATURES DESCRIPTION Low current consumption NPN transistor in a plastic SOT416 (SC-75) package. 3 High power gain fpage Low noise figure PI
bfr505t.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 BFR505T NPN 9 GHz wideband transistor Product specification 2000 May 17 Supersedes data of 2000 Mar 14 NXP Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFR505T FEATURES DESCRIPTION Low current consumption NPN transistor in a plastic SOT416 (SC-75) package. 3 High power gain lfpage Low noise figure PI
bfr505.pdf
BFR505 NPN 9 GHz wideband transistor Rev. 03 20 July 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description The BFR505 is an NPN silicon planar epitaxial transistor, intended for applications in the RF front end in wideband applications in the GHz range, such as analog and digital cellular telephones, cordless telephones (CT1, CT2, DECT, etc.), radar detectors, pagers an
bfr505 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFR505 NPN 9 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFR505 FEATURES PINNING High power gain PIN DESCRIPTION Low noise figure Code N30 High transition frequency 1 base fpage 3 Gold metalliza
Другие транзисторы: BFG424F, BFG424W, BFG540, BFG540W, BFG541, BFQ540, BFQ591, BFR505, TIP122, BFR540, BFR92AW, BFR93AW, BFR94A, BFR94AW, BFS20W, BFS505, BFT25A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569




