Аналоги PBRN123YT. Основные параметры
Наименование производителя: PBRN123YT
Маркировка: *7P_-7P_p7P_t7P_W7P
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для PBRN123YT
PBRN123YT даташит
pbrn123ys pbrn123y pbrn123yk.pdf
PBRN123Y series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k , R2 = 10 k Rev. 01 27 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN123YK SOT346 SC-59A TO-236 PB
pbrn123y.pdf
PBRN123Y series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k , R2 = 10 k Rev. 01 27 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN123YK SOT346 SC-59A TO-236 PB
pbrn123es pbrn123e pbrn123ek.pdf
PBRN123E series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Rev. 01 27 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN123EK SOT346 SC-59A TO-236 P
pbrn123e.pdf
PBRN123E series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Rev. 01 27 February 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NXP JEITA JEDEC PBRN123EK SOT346 SC-59A TO-236 P
Другие транзисторы... PBLS6023D , PBLS6024D , PBR941 , PBR941B , PBR951 , PBRN113ET , PBRN113ZT , PBRN123ET , TIP35C , PBRP113ET , PBRP113ZT , PBRP123ET , PBRP123YT , PBSS2515E , PBSS2515M , PBSS2515VPN , PBSS2515VS .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885