PBSS302PX. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PBSS302PX
Маркировка: *5J
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для PBSS302PX
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PBSS302PX даташит
pbss302px.pdf
PBSS302PX 20 V, 5.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 20 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS302NX. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsa
pbss302px.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pbss302pz.pdf
PBSS302PZ 20 V, 5.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 20 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS302NZ. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c
pbss302pd.pdf
PBSS302PD 40 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 6 December 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS302ND. 1.2 Features Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat 4 A continuous
Другие транзисторы: PBSS301NZ, PBSS301PD, PBSS301PX, PBSS301PZ, PBSS302ND, PBSS302NX, PBSS302NZ, PBSS302PD, 2N4401, PBSS302PZ, PBSS303ND, PBSS303NX, PBSS303NZ, PBSS303PD, PBSS303PX, PBSS303PZ, PBSS304ND
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971






