Справочник транзисторов. PBSS302PX

 

Биполярный транзистор PBSS302PX Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS302PX
   Маркировка: *5J
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS302PX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  philips
pbss302px.pdfpdf_icon

PBSS302PX

PBSS302PX20 V, 5.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS302NX.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsa

 ..2. Size:305K  nxp
pbss302px.pdfpdf_icon

PBSS302PX

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:163K  philips
pbss302pz.pdfpdf_icon

PBSS302PX

PBSS302PZ20 V, 5.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 20 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS302NZ.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector c

 6.2. Size:142K  philips
pbss302pd.pdfpdf_icon

PBSS302PX

PBSS302PD40 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 6 December 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS302ND.1.2 Features Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat 4 A continuous

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: BFX34SMD05 | MP8212

 

 
Back to Top

 


 
.