PBSS4032PT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS4032PT  📄📄 

Маркировка: *BN

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 230

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS4032PT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4032PT даташит

 ..1. Size:172K  philips
 pbss4032pt.pdf pdf_icon

PBSS4032PT

PBSS4032PT 30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 18 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4032NT. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized sw

 ..2. Size:289K  nxp
 pbss4032pt.pdf pdf_icon

PBSS4032PT

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 5.1. Size:182K  philips
 pbss4032pd.pdf pdf_icon

PBSS4032PT

PBSS4032PD 30 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 27 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4032ND. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized switc

 5.2. Size:190K  philips
 pbss4032pz.pdf pdf_icon

PBSS4032PT

PBSS4032PZ 30 V, 4.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 31 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4032NZ. 1.2 Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS3515VS, PBSS3540E, PBSS3540M, PBSS4021NT, PBSS4021PT, PBSS4032ND, PBSS4032NT, PBSS4032PD, TIP41C, PBSS4041NT, PBSS4041PT, PBSS4120T, PBSS4130T, PBSS4140DPN, PBSS4140T, PBSS4140U, PBSS4140V