PBSS4350Z datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PBSS4350Z 📄📄
Маркировка: PB4350
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT223
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для PBSS4350Z
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PBSS4350Z даташит
pbss4350z.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ndbook, halfpage M3D087 PBSS4350Z 50 V low VCEsat NPN transistor Product data sheet 2003 May 13 Supersedes data of 2003 Jan 20 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V low VCEsat NPN transistor PBSS4350Z FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High collector current capability
pbss4350z.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ndbook, halfpage M3D087 PBSS4350Z 50 V low VCEsat NPN transistor Product data sheet 2003 May 13 Supersedes data of 2003 Jan 20 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V low VCEsat NPN transistor PBSS4350Z FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High collector current capability
pbss4350d.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET fpage M3D302 PBSS4350D 50 V low VCEsat NPN transistor Product data sheet 2001 Jul 13 Supersedes data of 2001 Jan 26 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V low VCEsat NPN transistor PBSS4350D FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capability VCEO collector-emit
pbss4350x.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D109 PBSS4350X 50 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Product specification 2004 Nov 04 Supersedes data of 2003 Nov 21 Philips Semiconductors Product specification 50 V, 3 A PBSS4350X NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitte
Другие транзисторы: PBSS4320X, PBSS4330PA, PBSS4330X, PBSS4350D, PBSS4350SPN, PBSS4350SS, PBSS4350T, PBSS4350X, 2SD1047, PBSS4420D, PBSS4440D, PBSS4480X, PBSS4520X, PBSS4540X, PBSS4540Z, PBSS4560PA, PBSS4580PA
History: 2T7067A | 2T7044 | T2588
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073












