PBSS4350Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS4350Z  📄📄 

Маркировка: PB4350

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS4350Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4350Z даташит

 ..1. Size:155K  philips
pbss4350z.pdfpdf_icon

PBSS4350Z

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ndbook, halfpage M3D087 PBSS4350Z 50 V low VCEsat NPN transistor Product data sheet 2003 May 13 Supersedes data of 2003 Jan 20 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V low VCEsat NPN transistor PBSS4350Z FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High collector current capability

 ..2. Size:155K  nxp
pbss4350z.pdfpdf_icon

PBSS4350Z

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ndbook, halfpage M3D087 PBSS4350Z 50 V low VCEsat NPN transistor Product data sheet 2003 May 13 Supersedes data of 2003 Jan 20 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V low VCEsat NPN transistor PBSS4350Z FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High collector current capability

 6.1. Size:290K  philips
pbss4350d.pdfpdf_icon

PBSS4350Z

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET fpage M3D302 PBSS4350D 50 V low VCEsat NPN transistor Product data sheet 2001 Jul 13 Supersedes data of 2001 Jan 26 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V low VCEsat NPN transistor PBSS4350D FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capability VCEO collector-emit

 6.2. Size:127K  philips
pbss4350x.pdfpdf_icon

PBSS4350Z

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D109 PBSS4350X 50 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Product specification 2004 Nov 04 Supersedes data of 2003 Nov 21 Philips Semiconductors Product specification 50 V, 3 A PBSS4350X NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitte

Другие транзисторы: PBSS4320X, PBSS4330PA, PBSS4330X, PBSS4350D, PBSS4350SPN, PBSS4350SS, PBSS4350T, PBSS4350X, 2SD1047, PBSS4420D, PBSS4440D, PBSS4480X, PBSS4520X, PBSS4540X, PBSS4540Z, PBSS4560PA, PBSS4580PA