Биполярный транзистор PBSS4440D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBSS4440D
Маркировка: 61
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT457 SC74
Аналоги (замена) для PBSS4440D
PBSS4440D Datasheet (PDF)
pbss4440d.pdf
PBSS4440D40 V NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 21 April 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74)SMD plastic package.PNP complement: PBSS5440D.1.2 Features Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat 4 A continuous collector current capability IC (DC)
pbss4480x.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETbook, halfpageM3D109PBSS4480X80 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Oct 25Supersedes data of 2004 Aug 5NXP Semiconductors Product data sheet80 V, 4 A PBSS4480XNPN low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA High hFE and low VCEsat at high current operationSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
pbss4480x.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pbss4420d.pdf
PBSS4420D20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 24 September 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a smallSOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS5420D.1.2 Features Very low collector-emitter saturation resistance Ultra low collect
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050