PBSS5620PA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS5620PA  📄📄 

Маркировка: AA

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 230

Корпус транзистора: SOT1061

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS5620PA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5620PA даташит

 ..1. Size:168K  philips
 pbss5620pa.pdf pdf_icon

PBSS5620PA

PBSS5620PA 20 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 13 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. NPN complement PBSS4620PA. 1.2 Features and benefits

 ..2. Size:284K  nxp
 pbss5620pa.pdf pdf_icon

PBSS5620PA

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 8.1. Size:154K  philips
 pbss5612pa.pdf pdf_icon

PBSS5620PA

PBSS5612PA 12 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 7 May 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. NPN complement PBSS4612PA. 1.2 Features and benefits

 8.2. Size:350K  philips
 pbss5630pa.pdf pdf_icon

PBSS5620PA

PBSS5630PA 30 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 19 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. NPN complement PBSS4630PA. 1.2 Features and benefits

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS5440D, PBSS5480X, PBSS5520X, PBSS5540X, PBSS5540Z, PBSS5560PA, PBSS5580PA, PBSS5612PA, 2SD669, PBSS5630PA, PBSS8110D, PBSS8110T, PBSS8110X, PBSS8110Y, PBSS8110Z, PBSS8510PA, PBSS9110D