PDTA114YU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTA114YU  📄📄 

Маркировка: *55_p55_t55_W55

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 4.7

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTA114YU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA114YU даташит

 ..1. Size:858K  nxp
 pdta114ye pdta114ym pdta114yt pdta114yu.pdf pdf_icon

PDTA114YU

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:174K  philips
 pdta114y series.pdf pdf_icon

PDTA114YU

 6.2. Size:2790K  nxp
 pdta143xqa pdta123jqa pdta143zqa pdta114yqa.pdf pdf_icon

PDTA114YU

PDTA143X/123J/143Z/114YQA series 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors Rev. 1 30 October 2015 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 100 mA PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. Table 1. Product overview Type

 7.1. Size:29K  motorola
 pdta114te sot416.pdf pdf_icon

PDTA114YU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114TE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 14 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTA114EU, PDTA114TE, PDTA114TM, PDTA114TT, PDTA114TU, PDTA114YE, PDTA114YM, PDTA114YT, C5198, PDTA115EE, PDTA115EM, PDTA115ET, PDTA115EU, PDTA115TE, PDTA115TM, PDTA115TT, PDTA115TU