PDTA123JE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTA123JE  📄📄 

Маркировка: 27

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT416

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTA123JE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA123JE даташит

 ..1. Size:57K  motorola
pdta123je 2.pdfpdf_icon

PDTA123JE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA123JE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1998 Nov 25 Supersedes data of 1997 Dec 15 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) handbook, halfpage 3 3 Simplification of circuit d

 ..2. Size:57K  philips
pdta123je 2.pdfpdf_icon

PDTA123JE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA123JE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1998 Nov 25 Supersedes data of 1997 Dec 15 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) handbook, halfpage 3 3 Simplification of circuit d

 ..3. Size:1050K  nxp
pdta123je pdta123jm pdta123jt pdta123ju.pdfpdf_icon

PDTA123JE

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 0.1. Size:54K  motorola
pdta123jef 1.pdfpdf_icon

PDTA123JE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA123JEF PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

Другие транзисторы: PDTA115TE, PDTA115TM, PDTA115TT, PDTA115TU, PDTA123EE, PDTA123EM, PDTA123ET, PDTA123EU, 2N3906, PDTA123JM, PDTA123JT, PDTA123JU, PDTA123TE, PDTA123TM, PDTA123TT, PDTA123TU, PDTA123YE