PDTA124TE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTA124TE  📄📄 

Маркировка: 3R

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT416

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTA124TE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA124TE даташит

 0.1. Size:134K  nxp
pdta124tef pdta124tk pdta124ts.pdfpdf_icon

PDTA124TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTA124T series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 k , R2 = open Product data sheet 2004 Aug 04 Supersedes data of 2004 May 05 NXP Semiconductors Product data sheet PNP resistor-equipped transistors; PDTA124T series R1 = 22 k , R2 = open FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT S

 6.1. Size:174K  philips
pdta124t series.pdfpdf_icon

PDTA124TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTA124T series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 k , R2 = open Product data sheet 2004 Aug 04 Supersedes data of 2004 May 05 NXP Semiconductors Product data sheet PNP resistor-equipped transistors; PDTA124T series R1 = 22 k , R2 = open FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT S

 7.1. Size:55K  motorola
pdta124xe 3.pdfpdf_icon

PDTA124TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA124XE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1999 May 21 Supersedes data of 1998 Nov 25 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124XE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) Simplification of circuit design Reduces number of

 7.2. Size:58K  motorola
pdta124es 2.pdfpdf_icon

PDTA124TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTA124ES PNP resistor-equipped transistor 1998 May 20 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 04 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) Simplification o

Другие транзисторы: PDTA123YE, PDTA123YM, PDTA123YT, PDTA123YU, PDTA124EE, PDTA124EM, PDTA124ET, PDTA124EU, A940, PDTA124TM, PDTA124TT, PDTA124TU, PDTA124XE, PDTA124XM, PDTA124XT, PDTA124XU, PDTA143EE