Биполярный транзистор PDTA143ET Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PDTA143ET
Маркировка: p01_t01_W01
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT23
Аналог (замена) для PDTA143ET
PDTA143ET Datasheet (PDF)
pdta143et 4.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTA143ETPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 13Product specificationSupersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA143ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 4.7 k each)3handbook, 4 columns Simplification of circuit design
pdta143et 4.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTA143ETPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 13Product specificationSupersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA143ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 4.7 k each)3handbook, 4 columns Simplification of circuit design
pdta143eu 4.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D102PDTA143EUPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 13Product specificationSupersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA143EUFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 4.7 k each)3handbook, 4 columns Simplification of circuit design
pdta143ee 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA143EEPNP resistor-equipped transistorProduct specification 1998 Jul 23Supersedes data of 1997 Jul 02File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA143EEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 4.7 k each) Simplification of circuit design
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: SUR540EF | MJE5170 | TIP645 | ASZ10 | BC155A | BC135
History: SUR540EF | MJE5170 | TIP645 | ASZ10 | BC155A | BC135



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870