PDTA143ZT datasheet, аналоги, параметры транзистора

PDTA143ZT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTA143ZT 📄📄

Маркировка: p19_t19_W19

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для PDTA143ZT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

PDTA143ZT даташит

..1. Size:56K motorola
pdta143zt 3.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA143ZT PNP resistor-equipped transistor Product specification 1999 May 25 Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA143ZT FEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k and 47 k PIN DESCRIPTION respectively) 1 base/input

..2. Size:49K motorola
pdta143zt 1.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA143ZT PNP resistor-equipped transistor Product specification 1997 Dec 12 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA143ZT FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k and 47 k 3 handbook, 4 columns respectively) 3

..3. Size:56K philips
pdta143zt 3.pdf pdf_icon