PDTC114TM - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

PDTC114TM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDTC114TM
   Маркировка: DT
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT883
 

 Аналоги (замена) для PDTC114TM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC114TM Datasheet (PDF)

 6.1. Size:53K  motorola
 pdtc114ts 2.pdf pdf_icon

PDTC114TM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186PDTC114TSNPN resistor-equipped transistor1998 May 18Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114TSFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k) Simplification of circuit desi

 6.2. Size:52K  motorola
 pdtc114tk 2.pdf pdf_icon

PDTC114TM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D114PDTC114TKNPN resistor-equipped transistor1998 May 19Product specificationSupersedes data of 1997 May 28File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114TKFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k) Simplification of circuit desi

 6.3. Size:53K  motorola
 pdtc114tu 3.pdf pdf_icon

PDTC114TM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D102PDTC114TUNPN resistor-equipped transistor1999 Apr 16Preliminary specificationSupersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Preliminary specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114TUFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k)3handbook, 4 columns Simplification of circuit design3

 6.4. Size:51K  motorola
 pdtc114te 2.pdf pdf_icon

PDTC114TM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC114TENPN resistor-equipped transistor1998 Aug 03Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 11File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114TEFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k) Simplification of circuit design Reduces

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PDTB123ET , PDTB123TT , PDTB123YT , PDTC114EE , PDTC114EM , PDTC114ET , PDTC114EU , PDTC114TE , BD136 , PDTC114TT , PDTC114TU , PDTC114YE , PDTC114YM , PDTC114YT , PDTC114YU , PDTC115EE , PDTC115EM .

History: PDTC114YU

 

 
Back to Top

 


 
.