PDTC114TM datasheet, аналоги, параметры транзистора

PDTC114TM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC114TM 📄📄

Маркировка: DT

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT883

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для PDTC114TM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

PDTC114TM даташит

6.1. Size:53K motorola
pdtc114ts 2.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTC114TS NPN resistor-equipped transistor 1998 May 18 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TS FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit desi

6.2. Size:52K motorola
pdtc114tk 2.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D114 PDTC114TK NPN resistor-equipped transistor 1998 May 19 Product specification Supersedes data of 1997 May 28 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TK FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit desi

6.3. Size:53K motorola
pdtc114tu 3.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC114TU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Preliminary specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TU FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3

6.4. Size:51K motorola
pdtc114te 2.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC114TE NPN resistor-equipped transistor 1998 Aug 03 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 11 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design Reduces