PDTC114TU - описание и поиск аналогов

 

PDTC114TU - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDTC114TU
   Маркировка: -24_*24_p24_t24_W24
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для PDTC114TU

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC114TU - технические параметры

 ..1. Size:53K  motorola
pdtc114tu 3.pdfpdf_icon

PDTC114TU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC114TU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Preliminary specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TU FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3

 ..2. Size:53K  philips
pdtc114tu 3.pdfpdf_icon

PDTC114TU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC114TU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Preliminary specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TU FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3

 6.1. Size:53K  motorola
pdtc114ts 2.pdfpdf_icon

PDTC114TU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTC114TS NPN resistor-equipped transistor 1998 May 18 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TS FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit desi

 6.2. Size:52K  motorola
pdtc114tk 2.pdfpdf_icon

PDTC114TU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D114 PDTC114TK NPN resistor-equipped transistor 1998 May 19 Product specification Supersedes data of 1997 May 28 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TK FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit desi

Другие транзисторы... PDTB123YT , PDTC114EE , PDTC114EM , PDTC114ET , PDTC114EU , PDTC114TE , PDTC114TM , PDTC114TT , B647 , PDTC114YE , PDTC114YM , PDTC114YT , PDTC114YU , PDTC115EE , PDTC115EM , PDTC115ET , PDTC115EU .

History: NA22XI

 

 
Back to Top

 


 
.