PDTC114YU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC114YU  📄📄 

Маркировка: *30_p30_t30_W30

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTC114YU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC114YU даташит

 ..1. Size:59K  motorola
 pdtc114yu 1.pdf pdf_icon

PDTC114YU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC114YU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Product specification Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114YU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k and 47 k respectively) 3 handbook, 4 columns 3 Simplification of circuit design R1 R

 ..2. Size:59K  philips
 pdtc114yu 1.pdf pdf_icon

PDTC114YU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC114YU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Product specification Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114YU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k and 47 k respectively) 3 handbook, 4 columns 3 Simplification of circuit design R1 R

 6.1. Size:56K  motorola
 pdtc114yt 3.pdf pdf_icon

PDTC114YU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC114YT NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114YT FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 and 47 k respectively) Simplification of circuit design 3 Re

 6.2. Size:56K  motorola
 pdtc114ye 3.pdf pdf_icon

PDTC114YU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC114YE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114YE FEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k and 47 k PIN DESCRIPTION respectively) 1 base/input Simplification

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTC114EU, PDTC114TE, PDTC114TM, PDTC114TT, PDTC114TU, PDTC114YE, PDTC114YM, PDTC114YT, BDT88, PDTC115EE, PDTC115EM, PDTC115ET, PDTC115EU, PDTC115TE, PDTC115TM, PDTC115TT, PDTC115TU