Справочник транзисторов. PDTC115TE

 

Биполярный транзистор PDTC115TE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTC115TE
   Маркировка: 17
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT416
 

 Аналог (замена) для PDTC115TE

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC115TE Datasheet (PDF)

 6.1. Size:70K  philips
 pdtc115tk pdtc115ts.pdf pdf_icon

PDTC115TE

PDTC115T seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k, R2 = openRev. 04 17 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN resistor-equipped transistors.Table 1: Product overviewType number Package PNP complementPhilips JEITAPDTC115TE SOT416 SC-75 PDTA115TEPDTC115TK SOT346 SC-59A PDTA115TKPDTC115TM SOT883 SC-101 PDTA115TM[1]PD

 6.2. Size:71K  philips
 pdtc115t ser.pdf pdf_icon

PDTC115TE

PDTC115T seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k, R2 = openRev. 04 17 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN resistor-equipped transistors.Table 1: Product overviewType number Package PNP complementPhilips JEITAPDTC115TE SOT416 SC-75 PDTA115TEPDTC115TK SOT346 SC-59A PDTA115TKPDTC115TM SOT883 SC-101 PDTA115TM[1]PD

 7.1. Size:182K  philips
 pdtc115e series.pdf pdf_icon

PDTC115TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC115E seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k, R2 = 100 kProduct data sheet 2004 Aug 06Supersedes data of 2004 Apr 06NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC115E seriesR1 = 100 k, R2 = 100 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 7.2. Size:138K  nxp
 pdtc115eef pdtc115ek pdtc115es.pdf pdf_icon

PDTC115TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC115E seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k, R2 = 100 kProduct data sheet 2004 Aug 06Supersedes data of 2004 Apr 06NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC115E seriesR1 = 100 k, R2 = 100 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: SUR540EF | MJE5170 | TIP645 | ASZ10 | MJE5851G | BC135

 

 
Back to Top

 


 
.