Биполярный транзистор PDTC115TU - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PDTC115TU
Маркировка: -17_*17_p17_t17_W17
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT323
Аналоги (замена) для PDTC115TU
PDTC115TU Datasheet (PDF)
pdtc115tk pdtc115ts.pdf
PDTC115T seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k, R2 = openRev. 04 17 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN resistor-equipped transistors.Table 1: Product overviewType number Package PNP complementPhilips JEITAPDTC115TE SOT416 SC-75 PDTA115TEPDTC115TK SOT346 SC-59A PDTA115TKPDTC115TM SOT883 SC-101 PDTA115TM[1]PD
pdtc115t ser.pdf
PDTC115T seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k, R2 = openRev. 04 17 February 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN resistor-equipped transistors.Table 1: Product overviewType number Package PNP complementPhilips JEITAPDTC115TE SOT416 SC-75 PDTA115TEPDTC115TK SOT346 SC-59A PDTA115TKPDTC115TM SOT883 SC-101 PDTA115TM[1]PD
pdtc115e series.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC115E seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k, R2 = 100 kProduct data sheet 2004 Aug 06Supersedes data of 2004 Apr 06NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC115E seriesR1 = 100 k, R2 = 100 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI
pdtc115eef pdtc115ek pdtc115es.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC115E seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k, R2 = 100 kProduct data sheet 2004 Aug 06Supersedes data of 2004 Apr 06NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC115E seriesR1 = 100 k, R2 = 100 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050