Справочник транзисторов. PDTC123TM

 

Биполярный транзистор PDTC123TM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTC123TM
   Маркировка: FB
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT883
 

 Аналог (замена) для PDTC123TM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC123TM Datasheet (PDF)

 6.1. Size:78K  philips
pdtc123tk pdtc123ts pdtc123t ser.pdfpdf_icon

PDTC123TM

PDTC123T seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = openRev. 01 10 March 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family in Surface Mounted Device (SMD)plastic packages.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementPhilips JEITA JEDECPDTC123TE SOT416 SC-75 - PDTA123TEPDTC123TK

 7.1. Size:54K  motorola
pdtc123jef 1.pdfpdf_icon

PDTC123TM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTC123JEFNPN resistor-equipped transistor1999 May 27Preliminary specificationPhilips Semiconductors Preliminary specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JEFFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 k and 47 krespectively)3handbook, halfpage3 Simplification of circuit designR11 Red

 7.2. Size:55K  motorola
pdtc123je 3.pdfpdf_icon

PDTC123TM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC123JENPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 Aug 03Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 krespectively) Simplification of circuit designhandbook, halfpage33

 7.3. Size:56K  motorola
pdtc123jt 3.pdfpdf_icon

PDTC123TM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTC123JTNPN resistor-equipped transistor1999 May 18Product specificationSupersedes data of 1998 May 08Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JTFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 krespectively) Simplification of circuit design

Другие транзисторы... PDTC123EM , PDTC123ET , PDTC123EU , PDTC123JE , PDTC123JM , PDTC123JT , PDTC123JU , PDTC123TE , BC337 , PDTC123TT , PDTC123TU , PDTC123YE , PDTC123YM , PDTC123YT , PDTC123YU , PDTC124EE , PDTC124EM .

History: BFV70 | CHDTC124EKGP

 

 
Back to Top

 


 
.