PDTC123YM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC123YM  📄📄 

Маркировка: G7

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: SOT883

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTC123YM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC123YM даташит

 6.1. Size:137K  nxp
 pdtc123yk pdtc123ys.pdf pdf_icon

PDTC123YM

PDTC123Y series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 10 k Rev. 04 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA JEDEC PDTC123YE SOT416 SC-75 - PDTA123YE PDTC123YK SOT346 SC-59A TO-236 PDTA123YK PDTC123YM SOT883

 6.2. Size:137K  nxp
 pdtc123y.pdf pdf_icon

PDTC123YM

PDTC123Y series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 10 k Rev. 04 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA JEDEC PDTC123YE SOT416 SC-75 - PDTA123YE PDTC123YK SOT346 SC-59A TO-236 PDTA123YK PDTC123YM SOT883

 7.1. Size:54K  motorola
 pdtc123jef 1.pdf pdf_icon

PDTC123YM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC123JEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

 7.2. Size:55K  motorola
 pdtc123je 3.pdf pdf_icon

PDTC123YM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC123JE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 Aug 03 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 k respectively) Simplification of circuit design handbook, halfpage 3 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTC123JM, PDTC123JT, PDTC123JU, PDTC123TE, PDTC123TM, PDTC123TT, PDTC123TU, PDTC123YE, BD140, PDTC123YT, PDTC123YU, PDTC124EE, PDTC124EM, PDTC124ET, PDTC124EU, PDTC124TE, PDTC124TM